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| Numero de parte | STQ1HNK60R-AP |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 400mA (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 156pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5 Ohm @ 500mA, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-92-3 |
| Paquete / caja | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92
En stock: 2000
Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N-CH 600V 400MA TO-92
En stock: 2000
