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| Número da peça | NTMSD2P102LR2 |
|---|---|
| Status da Parte | Obsolete |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 20V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 2.3A (Ta) |
| Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 750pF @ 16V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| Dissipação de energia (máx.) | 710mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | 8-SOIC |
| Pacote / Caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
