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| 부품 번호 | NTMSD2P102LR2 |
|---|---|
| 부품 상태 | Obsolete |
| FET 유형 | P-Channel |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2.3A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 750pF @ 16V |
| Vgs (최대) | ±10V |
| FET 기능 | Schottky Diode (Isolated) |
| 전력 발산 (최대) | 710mW (Ta) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 공급 업체 장치 패키지 | 8-SOIC |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
