Número da peça | JANTXV2N2919L |
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Status da Parte | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN (Dual) |
Current - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 100µA, 1mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 1mA, 5V |
Power - Max | 350mW |
Frequência - Transição | - |
Temperatura de operação | 200°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / Caso | TO-78-6 Metal Can |
Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-78-6 |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
Em estoque: 100
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Em estoque: 4