Numero de parte | JANTXV2N2919L |
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Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN (Dual) |
Current - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 60V |
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic | 300mV @ 100µA, 1mA |
Corriente - corte de colector (máximo) | 10µA (ICBO) |
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 1mA, 5V |
Potencia - Max | 350mW |
Frecuencia - Transición | - |
Temperatura de funcionamiento | 200°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / caja | TO-78-6 Metal Can |
Paquete de dispositivo del proveedor | TO-78-6 |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
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Descripción: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
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Descripción: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Descripción: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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