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| Número da peça | JAN2N930 |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo de transistor | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
| Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) | 45V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 500µA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 2nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10µA, 5V |
| Power - Max | 300mW |
| Frequência - Transição | - |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / Caso | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-18 |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Em estoque: 0
