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| Artikelnummer | JAN2N930 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | NPN |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 30mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 45V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 500µA, 10mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 2nA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10µA, 5V |
| Leistung max | 300mW |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Lieferantengerätepaket | TO-18 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
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Hersteller: Microsemi Corporation
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Hersteller: Microsemi Corporation
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