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| Número da peça | JAN1N4104-1 |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Voltagem - Zener (Nom) (Vz) | 10V |
| Tolerância | ±5% |
| Power - Max | 500mW |
| Impedância (Máx.) (Zzt) | 200 Ohm |
| Corrente - vazamento inverso @ Vr | 500nA @ 7.6V |
| Voltagem - Encaminhar (Vf) (Máx.) @ Se | 1.1V @ 200mA |
| Temperatura de operação | -65°C ~ 175°C |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / Caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | DO-35 |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Em estoque: 0
