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| Numéro d'article | JAN1N4104-1 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Tension - Zener (Nom) (Vz) | 10V |
| Tolérance | ±5% |
| Puissance - Max | 500mW |
| Impédance (Max) (Zzt) | 200 Ohm |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 500nA @ 7.6V |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 200mA |
| Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Package de périphérique fournisseur | DO-35 |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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