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| Número da peça | APT65GP60J |
|---|---|
| Status da Parte | Not For New Designs |
| Tipo IGBT | PT |
| Configuração | Single |
| Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) | 600V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 130A |
| Power - Max | 431W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 65A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| Capacitância de entrada (Cies) @ Vce | 7.4nF @ 25V |
| Entrada | Standard |
| Termistor NTC | No |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Chassis Mount |
| Pacote / Caso | SOT-227-4, miniBLOC |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | ISOTOP® |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX
Em estoque: 4
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227
Em estoque: 2
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 600V 43A TO-264
Em estoque: 3
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
Em estoque: 15
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
Em estoque: 25
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247
Em estoque: 375
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264
Em estoque: 0
