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| Número da peça | BSZ025N04LSATMA1 |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 40V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 22A (Ta), 40A (Tc) |
| Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52nC @ 10V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3680pF @ 20V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 mOhm @ 20A, 10V |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | PG-TSDSON-8-FL |
| Pacote / Caso | 8-PowerTDFN |
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 40V 22A TSDSON-8
Em estoque: 5000
