ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル BSZ025N04LSATMA1

Infineon Technologies BSZ025N04LSATMA1

部品番号
BSZ025N04LSATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 40V 22A TSDSON-8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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製品パラメータ
部品番号 BSZ025N04LSATMA1
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 40V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 22A (Ta), 40A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 52nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 3680pF @ 20V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 2.5 mOhm @ 20A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PG-TSDSON-8-FL
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
関連製品
BSZ025N04LSATMA1

メーカー: Infineon Technologies

説明: MOSFET N-CH 40V 22A TSDSON-8

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