epc designs, develops, markets, and sells gallium nitride based power management devices using mature silicon foundries.
| Número da peça | EPC2103ENG |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Feature | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 80V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 23A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 20A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 7mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5nC @ 5V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 40V |
| Power - Max | - |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | Die |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | Die |
