Toshiba Semiconductor and Storage TPC8018-H(TE12LQM)

부품 번호: TPC8018-H(TE12LQM)
제조사: Toshiba Semiconductor and Storage
기술: MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
무연 여부 / RoHS 준수 여부: Lead free / RoHS Compliant
가족: 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일

Toshiba Semiconductor and Storage

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제품 매개 변수

부품 번호	TPC8018-H(TE12LQM)
부품 상태	Obsolete
FET 유형	N-Channel
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	18A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id	2.3V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	38nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	2265pF @ 10V
Vgs (최대)	±20V
FET 기능	-
전력 발산 (최대)	1W (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs	4.6 mOhm @ 9A, 10V
작동 온도	150°C (TJ)
실장 형	Surface Mount
공급 업체 장치 패키지	8-SOP (5.5x6.0)
패키지 / 케이스	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)