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| 부품 번호 | SSM6N16FUTE85LF |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 100mA |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 10mA, 4V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.1V @ 100µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 9.3pF @ 3V |
| 전력 - 최대 | 200mW |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 공급 업체 장치 패키지 | US6 |
제조사: Toshiba Semiconductor and Storage
기술: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
재고: 0
제조사: Toshiba Semiconductor and Storage
기술: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C
재고: 0
제조사: Toshiba Semiconductor and Storage
기술: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
재고: 12000
제조사: Toshiba Semiconductor and Storage
기술: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A ES6
재고: 0
제조사: Toshiba Semiconductor and Storage
기술: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A 2-2N1D
재고: 0
제조사: Toshiba Semiconductor and Storage
기술: MOSFET ARRAY 2N-CH 20V 250MA US6
재고: 6000
제조사: Toshiba Semiconductor and Storage
기술: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A US6
재고: 3000
