Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays SSM6N16FUTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N16FUTE85LF

Artikelnummer
SSM6N16FUTE85LF
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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Produktparameter
Artikelnummer SSM6N16FUTE85LF
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 100mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 100µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9.3pF @ 3V
Leistung max 200mW
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket US6
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