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| Artikelnummer | SSM6N16FUTE85LF |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 100mA |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 10mA, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 100µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9.3pF @ 3V |
| Leistung max | 200mW |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | US6 |
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A ES6
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A CST6D
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 0.25A 2-2N1D
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET ARRAY 2N-CH 20V 250MA US6
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A US6
Auf Lager: 3000
