제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 STW27N60M2-EP

STMicroelectronics STW27N60M2-EP

부품 번호
STW27N60M2-EP
제조사
STMicroelectronics
기술
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
STMicroelectronics

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제품 매개 변수
부품 번호STW27N60M2-EP
부품 상태Active
FET 유형N-Channel
과학 기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)600V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs33nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1320pF @ 100V
Vgs (최대)±25V
FET 기능-
전력 발산 (최대)170W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs163 mOhm @ 10A, 10V
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형Through Hole
공급 업체 장치 패키지TO-247-3
패키지 / 케이스TO-247-3
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