Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln STW27N60M2-EP

STMicroelectronics STW27N60M2-EP

Artikelnummer
STW27N60M2-EP
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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Gesamt:2.84000/pcsUnit Price:
2.84000/pcs		Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
ArtikelnummerSTW27N60M2-EP
TeilstatusActive
FET TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C20A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs33nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1320pF @ 100V
Vgs (Max)±25V
FET-Eigenschaft-
Verlustleistung (Max)170W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs163 mOhm @ 10A, 10V
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-247-3
Paket / FallTO-247-3
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