제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - IGBT - 모듈 STG3P2M10N60B

STMicroelectronics STG3P2M10N60B

부품 번호
STG3P2M10N60B
제조사
STMicroelectronics
기술
IGBT N-CHAN 600V 19A SEMITOP2
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - IGBT - 모듈
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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제품 매개 변수
부품 번호STG3P2M10N60B
부품 상태Obsolete
IGBT 형-
구성Three Phase Inverter
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)600V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대)19A
전력 - 최대56W
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 7A
전류 - 콜렉터 차단 (최대)10µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce0.72nF @ 25V
입력Single Phase Bridge Rectifier
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형Chassis Mount
패키지 / 케이스SEMITOP®2
공급 업체 장치 패키지SEMITOP®2
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제조사: STMicroelectronics

기술: IGBT N-CHAN 600V 19A SEMITOP2

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