Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - IGBTs - Module STG3P2M10N60B

STMicroelectronics STG3P2M10N60B

Artikelnummer
STG3P2M10N60B
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
IGBT N-CHAN 600V 19A SEMITOP2
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - IGBTs - Module
STMicroelectronics

STMicroelectronics

stmicroelectronics is a global independent semiconductor company and is a leader in developing and delivering semiconductor solutions across the spectrum

Auf Lager $ Stück Stück
  • Referenzpreis

    (In US-Dollar)
  • 1 pcs

    -
Gesamt:0Unit Price:
0
Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
ArtikelnummerSTG3P2M10N60B
TeilstatusObsolete
IGBT-Typ-
AufbauThree Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)19A
Leistung max56W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 7A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)10µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce0.72nF @ 25V
EingangSingle Phase Bridge Rectifier
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartChassis Mount
Paket / FallSEMITOP®2
LieferantengerätepaketSEMITOP®2
Ähnliche Produkte
STG3P2M10N60B

Hersteller: STMicroelectronics

Beschreibung: IGBT N-CHAN 600V 19A SEMITOP2

Auf Lager: 0