제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일 BU808DFI

STMicroelectronics BU808DFI

부품 번호
BU808DFI
제조사
STMicroelectronics
기술
TRANS NPN DARL 700V ISOWATT218
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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제품 매개 변수
부품 번호BU808DFI
부품 상태Obsolete
트랜지스터 유형NPN - Darlington
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대)8A
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)700V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic1.6V @ 500mA, 5A
전류 - 콜렉터 차단 (최대)400µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce60 @ 5A, 5V
전력 - 최대52W
빈도 - 전환-
작동 온도150°C (TJ)
실장 형Through Hole
패키지 / 케이스ISOWATT-218-3
공급 업체 장치 패키지ISOWATT-218
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