Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln BU808DFI

STMicroelectronics BU808DFI

Artikelnummer
BU808DFI
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
TRANS NPN DARL 700V ISOWATT218
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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Produktparameter
ArtikelnummerBU808DFI
TeilstatusObsolete
Transistor-TypNPN - Darlington
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)8A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)700V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic1.6V @ 500mA, 5A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)400µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce60 @ 5A, 5V
Leistung max52W
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur150°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
Paket / FallISOWATT-218-3
LieferantengerätepaketISOWATT-218
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