제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 BUK9E04-30B,127

NXP USA Inc. BUK9E04-30B,127

부품 번호
BUK9E04-30B,127
제조사
NXP USA Inc.
기술
MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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제품 매개 변수
부품 번호 BUK9E04-30B,127
부품 상태 Obsolete
FET 유형 N-Channel
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 75A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 56nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 6526pF @ 25V
Vgs (최대) ±15V
FET 기능 -
전력 발산 (최대) 254W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs 3 mOhm @ 25A, 10V
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 Through Hole
공급 업체 장치 패키지 I2PAK
패키지 / 케이스 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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