Numéro d'article | BUK9E04-30B,127 |
---|---|
État de la pièce | Obsolete |
FET Type | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 5V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6526pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±15V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | 254W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 25A, 10V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package de périphérique fournisseur | I2PAK |
Paquet / cas | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Fabricant: Nexperia USA Inc.
La description: MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK
En stock: 0
Fabricant: Nexperia USA Inc.
La description: MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
En stock: 4015
Fabricant: Nexperia USA Inc.
La description: MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
En stock: 0
Fabricant: Nexperia USA Inc.
La description: MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
En stock: 0
Fabricant: NXP USA Inc.
La description: MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
En stock: 0
Fabricant: NXP USA Inc.
La description: MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
En stock: 0
Fabricant: NXP USA Inc.
La description: MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
En stock: 0