제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - 양극(BJT) - RF BFG35,115

NXP USA Inc. BFG35,115

부품 번호
BFG35,115
제조사
NXP USA Inc.
기술
TRANS NPN 10V 150MA SOT223
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - 양극(BJT) - RF
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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제품 매개 변수
부품 번호 BFG35,115
부품 상태 Active
트랜지스터 유형 NPN
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 18V
빈도 - 전환 4GHz
잡음 지수 (dB Typ @ f) -
이득 -
전력 - 최대 1W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 25 @ 100mA, 10V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 150mA
작동 온도 175°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 TO-261-4, TO-261AA
공급 업체 장치 패키지 SOT-223
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