Artikelnummer | BFG35,115 |
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Teilstatus | Active |
Transistor-Typ | NPN |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 18V |
Frequenz - Übergang | 4GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
Gewinnen | - |
Leistung max | 1W |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 100mA, 10V |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 150mA |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |
Lieferantengerätepaket | SOT-223 |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-223
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-223
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-223
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-223
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Hersteller: LEMO
Beschreibung: CONN CAP FOR .00. PLUG IP51
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Hersteller: LEMO
Beschreibung: CONN CAP FOR 0B-0S PLUG IP51
Auf Lager: 19