Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - HF BFG35,115

NXP USA Inc. BFG35,115

Artikelnummer
BFG35,115
Hersteller
NXP USA Inc.
Beschreibung
TRANS NPN 10V 150MA SOT223
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - HF
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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Menge:
Produktparameter
Artikelnummer BFG35,115
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 18V
Frequenz - Übergang 4GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f) -
Gewinnen -
Leistung max 1W
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 25 @ 100mA, 10V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 150mA
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA
Lieferantengerätepaket SOT-223
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