제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이 APTM60H23FT1G

Microsemi Corporation APTM60H23FT1G

부품 번호
APTM60H23FT1G
제조사
Microsemi Corporation
기술
MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이
Microsemi Corporation

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제품 매개 변수
부품 번호APTM60H23FT1G
부품 상태Active
FET 유형4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능Standard
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)600V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)20A
Rds On (최대) @ Id, Vgs276 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs165nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds5316pF @ 25V
전력 - 최대208W
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형Chassis Mount
패키지 / 케이스SP1
공급 업체 장치 패키지SP1
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