ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ APTM60H23FT1G

Microsemi Corporation APTM60H23FT1G

部品番号
APTM60H23FT1G
メーカー
Microsemi Corporation
説明
MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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18.37530/pcs
目標価格:
量:
製品パラメータ
部品番号 APTM60H23FT1G
部品ステータス Active
FETタイプ 4 N-Channel (H-Bridge)
FET機能 Standard
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 600V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 20A
Rds On(Max)@ Id、Vgs 276 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 5V @ 1mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 165nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 5316pF @ 25V
電力 - 最大 208W
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース SP1
サプライヤデバイスパッケージ SP1
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