제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - IGBT - 모듈 APTGT30A170D1G

Microsemi Corporation APTGT30A170D1G

부품 번호
APTGT30A170D1G
제조사
Microsemi Corporation
기술
IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - IGBT - 모듈
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

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제품 매개 변수
부품 번호 APTGT30A170D1G
부품 상태 Discontinued at Digi-Key
IGBT 형 Trench Field Stop
구성 Half Bridge
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 1700V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 45A
전력 - 최대 210W
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 30A
전류 - 콜렉터 차단 (최대) 3mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce 2.5nF @ 25V
입력 Standard
NTC 서미스터 No
작동 온도 -
실장 형 Chassis Mount
패키지 / 케이스 D1
공급 업체 장치 패키지 D1
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