Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - IGBTs - Module APTGT30A170D1G

Microsemi Corporation APTGT30A170D1G

Artikelnummer
APTGT30A170D1G
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - IGBTs - Module
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

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Produktparameter
Artikelnummer APTGT30A170D1G
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Half Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1700V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 45A
Leistung max 210W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 30A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 3mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 2.5nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall D1
Lieferantengerätepaket D1
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