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| 부품 번호 | 1N5809US |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) | 100V |
| 전류 - 평균 정류 (Io) | 3A |
| 전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If | 875mV @ 4A |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 회복 시간 (trr) | 30ns |
| 전류 - Vr의 역 누설 | 5µA @ 100V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SQ-MELF, B |
| 공급 업체 장치 패키지 | B, SQ-MELF |
| 작동 온도 - 정션 | -65°C ~ 175°C |
제조사: Vishay Semiconductor Diodes Division
기술: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC
재고: 8000
제조사: Vishay Semiconductor Diodes Division
기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC
재고: 8000
제조사: Vishay Semiconductor Diodes Division
기술: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC
재고: 0
