Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Dioden - Gleichrichter - Einzeln 1N5809US

Microsemi Corporation 1N5809US

Artikelnummer
1N5809US
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Dioden - Gleichrichter - Einzeln
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

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  • 10 pcs

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    4.62780/pcs
  • 100 pcs

    4.17640/pcs
  • 250 pcs

    3.83776/pcs
  • 500 pcs

    3.49913/pcs
Gesamt:5.64500/pcsUnit Price:
5.64500/pcs
Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
Artikelnummer1N5809US
TeilstatusActive
Dioden-TypStandard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max)100V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If875mV @ 4A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)30ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr5µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F60pF @ 10V, 1MHz
BefestigungsartSurface Mount
Paket / FallSQ-MELF, B
LieferantengerätepaketB, SQ-MELF
Betriebstemperatur - Kreuzung-65°C ~ 175°C
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