제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - 양극(BJT) - RF BFR181WH6327XTSA1

Infineon Technologies BFR181WH6327XTSA1

부품 번호
BFR181WH6327XTSA1
제조사
Infineon Technologies
기술
TRANS RF NPN 12V 20MA SOT323
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - 양극(BJT) - RF
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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재고 있음 15000 pcs
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    0.03415/pcs
  • 3,000 pcs

    0.03415/pcs
  • 6,000 pcs

    0.02970/pcs
  • 15,000 pcs

    0.02525/pcs
  • 30,000 pcs

    0.02376/pcs
  • 75,000 pcs

    0.02227/pcs
  • 150,000 pcs

    0.01930/pcs
합계:0.03415/pcs Unit Price:
0.03415/pcs
목표 주가:
수량:
제품 매개 변수
부품 번호 BFR181WH6327XTSA1
부품 상태 Active
트랜지스터 유형 NPN
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 12V
빈도 - 전환 8GHz
잡음 지수 (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득 19dB
전력 - 최대 175mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 70 @ 5mA, 8V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 20mA
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 SC-70, SOT-323
공급 업체 장치 패키지 PG-SOT323-3
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