Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - RF BFR181WH6327XTSA1

Infineon Technologies BFR181WH6327XTSA1

Numero di parte
BFR181WH6327XTSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
TRANS RF NPN 12V 20MA SOT323
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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In stock 15000 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    0.03415/pcs
  • 3,000 pcs

    0.03415/pcs
  • 6,000 pcs

    0.02970/pcs
  • 15,000 pcs

    0.02525/pcs
  • 30,000 pcs

    0.02376/pcs
  • 75,000 pcs

    0.02227/pcs
  • 150,000 pcs

    0.01930/pcs
Totale:0.03415/pcs Unit Price:
0.03415/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte BFR181WH6327XTSA1
Stato parte Active
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V
Frequenza - Transizione 8GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Guadagno 19dB
Potenza - Max 175mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 5mA, 8V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 20mA
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SC-70, SOT-323
Pacchetto dispositivo fornitore PG-SOT323-3
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Descrizione: TRANS RF NPN 12V 20MA SOT323

Disponibile: 6000

RFQ 0.03415/pcs