epc designs, develops, markets, and sells gallium nitride based power management devices using mature silicon foundries.
| 부품 번호 | EPC8002ENGR |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | N-Channel |
| 과학 기술 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 65V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 0.14nC @ 5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 21pF @ 32.5V |
| Vgs (최대) | +6V, -5V |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | - |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 530 mOhm @ 500mA, 5V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 공급 업체 장치 패키지 | Die |
| 패키지 / 케이스 | Die |
