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| Numero de parte | EPC8002ENGR |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 65V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 0.14nC @ 5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 21pF @ 32.5V |
| Vgs (Max) | +6V, -5V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 530 mOhm @ 500mA, 5V |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | Die |
| Paquete / caja | Die |
