ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ SI7872DP-T1-E3

Vishay Siliconix SI7872DP-T1-E3

部品番号
SI7872DP-T1-E3
メーカー
Vishay Siliconix
説明
MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Vishay Corporation

Vishay Corporation

vishay intertechnology is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors and selected ics, and passive electronic components.

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量:
製品パラメータ
部品番号 SI7872DP-T1-E3
部品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 6.4A
Rds On(Max)@ Id、Vgs 22 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 11nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds -
電力 - 最大 1.4W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8 Dual
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8 Dual
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SI7872DP-T1-E3

メーカー: Vishay Siliconix

説明: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

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SI7872DP-T1-GE3

メーカー: Vishay Siliconix

説明: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

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