Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - FET, MOSFET - Matrices SI7872DP-T1-E3

Vishay Siliconix SI7872DP-T1-E3

Numéro d'article
SI7872DP-T1-E3
Fabricant
Vishay Siliconix
La description
MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Vishay Corporation

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vishay intertechnology is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors and selected ics, and passive electronic components.

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Paramètre du produit
Numéro d'article SI7872DP-T1-E3
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 6.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Puissance - Max 1.4W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas PowerPAK® SO-8 Dual
Package de périphérique fournisseur PowerPAK® SO-8 Dual
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SI7872DP-T1-E3

Fabricant: Vishay Siliconix

La description: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

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SI7872DP-T1-GE3

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