ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル SI3429EDV-T1-GE3

Vishay Siliconix SI3429EDV-T1-GE3

部品番号
SI3429EDV-T1-GE3
メーカー
Vishay Siliconix
説明
MOSFET P-CHAN 20V TSOP6S
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Vishay Corporation

Vishay Corporation

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製品パラメータ
部品番号 SI3429EDV-T1-GE3
部品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 8A (Ta), 8A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 1.8V, 4.5V
Vgs(th)(Max)@ Id 1V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 118nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 4085pF @ 50V
Vgs(最大) ±8V
FET機能 -
消費電力(最大) 4.2W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 21 mOhm @ 4A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 6-TSOP
パッケージ/ケース SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
関連製品
SI3429EDV-T1-GE3

メーカー: Vishay Siliconix

説明: MOSFET P-CHAN 20V TSOP6S

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