部品番号 | SI3429EDV-T1-GE3 |
---|---|
部品ステータス | Active |
FETタイプ | P-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 20V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 8A (Ta), 8A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 1.8V, 4.5V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 1V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 118nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 4085pF @ 50V |
Vgs(最大) | ±8V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 4.2W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 21 mOhm @ 4A, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | 6-TSOP |
パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |