Casa Índice de producto Productos semiconductores discretos Transistores - FET, MOSFET - Simple SI3429EDV-T1-GE3

Vishay Siliconix SI3429EDV-T1-GE3

Numero de parte
SI3429EDV-T1-GE3
Fabricante
Vishay Siliconix
Descripción
MOSFET P-CHAN 20V TSOP6S
Estado sin plomo / estado de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
Vishay Corporation

Vishay Corporation

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Cantidad:
Parámetro del producto
Numero de parte SI3429EDV-T1-GE3
Estado de la pieza Active
Tipo de FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 8A (Ta), 8A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 118nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4085pF @ 50V
Vgs (Max) ±8V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 4.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21 mOhm @ 4A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor 6-TSOP
Paquete / caja SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Fabricante: Vishay Siliconix

Descripción: MOSFET P-CHAN 20V TSOP6S

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