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| 部品番号 | TK31J60W,S1VQ |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 600V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 30.8A (Ta) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3.7V @ 1.5mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 86nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3000pF @ 300V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| FET機能 | Super Junction |
| 消費電力（最大） | 230W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 88 mOhm @ 15.4A, 10V |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-3P(N) |
| パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 |
メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
説明: MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3P(N)
在庫あり: 47
メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
説明: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N)
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