ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - バイポーラ(BJT) - シングル、プリバイアス RN1316,LF

Toshiba Semiconductor and Storage RN1316,LF

部品番号
RN1316,LF
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
説明
TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - バイポーラ(BJT) - シングル、プリバイアス
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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在庫数量で数量個
  • 参考価格

    (米ドル)
  • 1 pcs

    0.01875/pcs
  • 3,000 pcs

    0.01875/pcs
  • 6,000 pcs

    0.01690/pcs
  • 15,000 pcs

    0.01470/pcs
  • 30,000 pcs

    0.01323/pcs
  • 75,000 pcs

    0.01176/pcs
  • 150,000 pcs

    0.00980/pcs
合計:0.01875/pcs Unit Price:
0.01875/pcs
目標価格:
量:
製品パラメータ
部品番号 RN1316,LF
部品ステータス Active
トランジスタタイプ NPN - Pre-Biased
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 100mA
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 50V
抵抗器 - ベース(R1)(オーム) 4.7k
抵抗器 - エミッタベース(R2)(オーム) 10k
DC電流利得(hFE)(最小)@ Ic、Vce 50 @ 10mA, 5V
Vce飽和(最大)@Ib、Ic 300mV @ 250µA, 5mA
電流 - コレクタ遮断(最大) 500nA
周波数 - 遷移 250MHz
電力 - 最大 100mW
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース SC-70, SOT-323
サプライヤデバイスパッケージ USM
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