Toshiba Semiconductor and Storage RN1316,LF

Numéro d'article: RN1316,LF
Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
La description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
Statut sans plomb / statut RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famille: Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés

Toshiba Semiconductor and Storage

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Prix de référence
(En dollars américains)
1 pcs
0.01875/pcs
3,000 pcs
0.01875/pcs
6,000 pcs
0.01690/pcs
15,000 pcs
0.01470/pcs
30,000 pcs
0.01323/pcs
75,000 pcs
0.01176/pcs
150,000 pcs
0.00980/pcs

Total:0.01875/pcs

Unit Price:

0.01875/pcs

Prix cible:

Quantité:

Paramètre du produit

Numéro d'article	RN1316,LF
État de la pièce	Active
Type de transistor	NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	50V
Résistance - Base (R1) (Ohms)	4.7k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms)	10k
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	50 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (Max)	500nA
Fréquence - Transition	250MHz
Puissance - Max	100mW
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	SC-70, SOT-323
Package de périphérique fournisseur	USM