ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル R6035KNZ1C9

Rohm Semiconductor R6035KNZ1C9

部品番号
R6035KNZ1C9
メーカー
Rohm Semiconductor
説明
NCH 600V 35A POWER MOSFET
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
ROHM Semiconductor

ROHM Semiconductor

rohm was established in kyoto, japan, in 1958. rohm designs and manufactures semiconductors, integrated circuits and other electronic components. these components find a home in the dynamic and ever-growing wireless, computer, automotive and consumer electronics markets.

在庫数量で数量個
  • 参考価格

    (米ドル)
  • 1 pcs

    2.76500/pcs
  • 10 pcs

    2.58500/pcs
  • 100 pcs

    2.11970/pcs
  • 500 pcs

    1.71644/pcs
  • 1,000 pcs

    1.44760/pcs
合計:2.76500/pcs Unit Price:
2.76500/pcs
目標価格:
量:
製品パラメータ
部品番号 R6035KNZ1C9
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 600V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 35A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 5V @ 1mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 72nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 3000pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 379W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 102 mOhm @ 18.1A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-247
パッケージ/ケース TO-247-3
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