Rohm Semiconductor R6035KNZ1C9

Numero de parte: R6035KNZ1C9
Fabricante: Rohm Semiconductor
Descripción: NCH 600V 35A POWER MOSFET
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Simple

ROHM Semiconductor

rohm was established in kyoto, japan, in 1958. rohm designs and manufactures semiconductors, integrated circuits and other electronic components. these components find a home in the dynamic and ever-growing wireless, computer, automotive and consumer electronics markets.

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Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)
1 pcs
2.76500/pcs
10 pcs
2.58500/pcs
100 pcs
2.11970/pcs
500 pcs
1.71644/pcs
1,000 pcs
1.44760/pcs

Total:2.76500/pcs

Unit Price:

2.76500/pcs

Precio objetivo:

Cantidad:

Parámetro del producto

Numero de parte	R6035KNZ1C9
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	35A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	72nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3000pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	379W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	102 mOhm @ 18.1A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-247
Paquete / caja	TO-247-3