部品番号 | JANTXV2N3637UB |
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部品ステータス | Active |
トランジスタタイプ | PNP |
電流 - コレクタ(Ic)(最大) | 1A |
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) | 175V |
Vce飽和(最大)@Ib、Ic | 600mV @ 5mA, 50mA |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 10µA |
DC電流利得(hFE)(最小)@ Ic、Vce | 100 @ 50mA, 10V |
電力 - 最大 | 1.5W |
周波数 - 遷移 | - |
動作温度 | -65°C ~ 200°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | 3-SMD, No Lead |
サプライヤデバイスパッケージ | 3-SMD |
メーカー: Microsemi Corporation
説明: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
在庫あり: 39
メーカー: Microsemi Corporation
説明: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
在庫あり: 36
メーカー: Microsemi Corporation
説明: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
在庫あり: 4