Numéro d'article | JANTXV2N3637UB |
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État de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1A |
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 175V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA |
Courant - Coupure du collecteur (Max) | 10µA |
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 10V |
Puissance - Max | 1.5W |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / cas | 3-SMD, No Lead |
Package de périphérique fournisseur | 3-SMD |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
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La description: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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