provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| 部品番号 | APTM100H45STG |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET機能 | Standard |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 1000V (1kV) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 18A |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 540 mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 5V @ 2.5mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 154nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4350pF @ 25V |
| 電力 - 最大 | 357W |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| パッケージ/ケース | SP4 |
| サプライヤデバイスパッケージ | SP4 |
