Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Array APTM100H45STG

Microsemi Corporation APTM100H45STG

Numero di parte
APTM100H45STG
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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In stock 20 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

  • 1 pcs

    70.06500/pcs

  • 10 pcs

    65.48400/pcs

  • 25 pcs

    63.19420/pcs
Totale:70.06500/pcsUnit Price:
70.06500/pcs		Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteAPTM100H45STG
Stato parteActive
Tipo FET4 N-Channel (H-Bridge)
Caratteristica FETStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)1000V (1kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C18A
Rds On (Max) @ Id, Vgs540 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs154nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4350pF @ 25V
Potenza - Max357W
temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / casoSP4
Pacchetto dispositivo fornitoreSP4
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