ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル IXFK20N120P

IXYS IXFK20N120P

部品番号
IXFK20N120P
メーカー
IXYS
説明
MOSFET N-CH 1200V 20A TO-264
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
IXYS

IXYS

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9.72740/pcs
目標価格:
量:
製品パラメータ
部品番号 IXFK20N120P
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 1200V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 20A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 6.5V @ 1mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 193nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 11100pF @ 25V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 -
消費電力(最大) 780W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 570 mOhm @ 10A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-264AA (IXFK)
パッケージ/ケース TO-264-3, TO-264AA
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